公开(公告)号：CN109560013A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811087111.5

申请日：2018-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗健伦 ,  涂纪诚 ,  陈丰裕 ,  苏元孝 ,  黄奕齐 ,  杨岳庭 ,  赵书汉

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开多个实施例提供一种在锅炉内加工多个半导体晶圆的方法。上述方法包括形成一薄膜在每一半导体晶圆上。上述方法还包括在形成薄膜的期间，控制锅炉的温度在一第一热模式下。在第一热模式下，锅炉中顺序排列的一第一端控温区、一中间控温区、及一第二端控温区的温度依序递增。上述方法还包括在形成薄膜之后，控制锅炉的温度在一第二热模式下。在第二热模式下，第一端控温区、中间控温区、及第二端控温区的温度依序递减。

公开(公告)号：CN113942973A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110314941.2

申请日：2021-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏达 ,  王乙翕 ,  杨子平 ,  王兴宇 ,  赵书汉 ,  许希丞 ,  周银铜 ,  纪元兴 ,  林生元

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和/或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。