公开(公告)号：CN116581104A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310247948.6

申请日：2023-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨静茹 ,  张耀文 ,  赖志忠

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：互连结构至少包括第一互连元件和第二互连元件；导电垫层设置在第一互连元件上方并且电连接至第一互连元件；盖层设置在导电垫层上方。盖层包括氮化钛；介电层设置在盖层上方；导电接触件至少垂直延伸穿过介电层的第一部分和盖层，导电接触件通过导电垫层连接至第一互连元件；导电通孔垂直延伸穿过介电层的至少第二部分，导电通孔连接至第二互连元件。

公开(公告)号：CN110957421A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910911400.0

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林灿 ,  应继锋 ,  赖志忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一些实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110957421B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201910911400.0

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林灿 ,  应继锋 ,  赖志忠

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一些实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。