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公开(公告)号：CN111105824A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911033480.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移-自旋扭矩转移(SOT-STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT-STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT-STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN108122847A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710468207.5
申请日：2017-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L27/1203 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78696 , H01L2029/7857 , H01L21/823431 , H01L21/823412 , H01L27/0203
Abstract: 一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
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公开(公告)号：CN106340582A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610010247.0
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L35/32 , H01L27/16 , H01L29/785 , H01L35/30 , H01L35/34 , H01L35/00 , H01L35/02
Abstract: 可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
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公开(公告)号：CN108122847B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201710468207.5
申请日：2017-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
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公开(公告)号：CN111105824B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201911033480.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729005B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910635581.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
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公开(公告)号：CN106340582B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610010247.0
申请日：2016-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
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公开(公告)号：CN110838315A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910759607.0
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
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