公开(公告)号：CN103915438B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310105573.6

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  柯志欣 ,  吴政宪 ,  时定康 ,  林浩宇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法。本发明提供了实施例互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和形成CMOS器件的实施例方法。实施例CMOS器件包括n型金属氧化物半导体(NMOS)和p型金属氧化物半导体(PMOS)，其中，该NMOS具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层，并且该PMOS具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，且PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。

公开(公告)号：CN111128890A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910816297.1

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宜静 ,  郑雅云 ,  林浩宇 ,  陈奕升 ,  许家铭 ,  柯志欣 ,  幸仁·万

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。本揭露提供一种形成半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积介电质层；在所述介电质层上方沉积障壁层；从所述第一沟槽移除所述障壁层以曝光所述介电质层；在所述第一沟槽中的所述介电质层上方沉积功函数层；及在所述第一沟槽中的所述功函数层上方沉积导电层。

公开(公告)号：CN103915438A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310105573.6

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  柯志欣 ,  吴政宪 ,  时定康 ,  林浩宇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法。本发明提供了实施例互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和形成CMOS器件的实施例方法。实施例CMOS器件包括n型金属氧化物半导体(NMOS)和p型金属氧化物半导体(PMOS)，其中，该NMOS具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层，并且该PMOS具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，且PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。