公开(公告)号：CN113192856B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202110250974.5

申请日：2021-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李逸哲 ,  黄怀莹 ,  李宜蒨

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的各种实施例针对一种单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法。在该方法的一些实施例中，捕获晶圆上的多个单元的灰度图像。灰度图像提供单元的俯视图，并且在一些实施例中，在蚀刻之后被原位捕获以形成单元。在灰度图像中识别单元，以确定对应于单元的非感兴趣区(non‑ROI)像素。从灰度图像减去非ROI像素，以确定ROI像素。ROI像素是减去之后的剩余像素，并且对应于单元的侧壁上和单元之间的凹槽中的材料。然后基于ROI像素的灰度级而对侧壁上和凹槽中的蚀刻再沉积物的量进行评分。此外，基于得分而处理晶圆。本发明的实施例还涉及单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的系统。

公开(公告)号：CN113192856A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110250974.5

申请日：2021-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李逸哲 ,  黄怀莹 ,  李宜蒨

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的各种实施例针对一种单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法。在该方法的一些实施例中，捕获晶圆上的多个单元的灰度图像。灰度图像提供单元的俯视图，并且在一些实施例中，在蚀刻之后被原位捕获以形成单元。在灰度图像中识别单元，以确定对应于单元的非感兴趣区(non‑ROI)像素。从灰度图像减去非ROI像素，以确定ROI像素。ROI像素是减去之后的剩余像素，并且对应于单元的侧壁上和单元之间的凹槽中的材料。然后基于ROI像素的灰度级而对侧壁上和凹槽中的蚀刻再沉积物的量进行评分。此外，基于得分而处理晶圆。本发明的实施例还涉及单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的系统。