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发明公开
集成器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN114823618A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110898142.4

申请日：2021-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李逸哲 , 黄怀莹 , 许瑞成

IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768

Abstract: 通过使来自第一金属结构的金属材料迁移到第一金属结构上方的介电层中的开口中，在诸如金属线的第一金属结构上方形成诸如金属插塞的第二金属结构。金属材料，可以是铜，是一种随着氧化而密度降低的类型。使用交替氧化和还原金属材料的气体诱导迁移。经过多次循环，金属材料迁移到开口中。在一些实施例中，迁移的金属材料部分地填充开口。在一些实施例中，迁移的金属材料完全填充开口。根据本发明的一个实施例，提供了一种形成集成器件的方法，包括接收具有位于介电层正下方的金属结构的衬底；在介电层中形成开口以暴露金属结构；以及提供诱导金属材料从金属结构迁移到开口中的气体。根据本发明的又一个实施例，提供了一种集成器件。

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