公开(公告)号：CN106898556B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610961740.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国弘 ,  李智飞 ,  张復诚 ,  高境鸿

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/544

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。

公开(公告)号：CN104851859B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。

公开(公告)号：CN106898556A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610961740.0

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国弘 ,  李智飞 ,  张復诚 ,  高境鸿

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/528 ,  H01L28/40 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。

公开(公告)号：CN104851859A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。