公开(公告)号：CN104851859B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。

公开(公告)号：CN109786224B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201811339883.3

申请日：2018-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林炳豪 ,  张复诚

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开一种形成半导体结构的方法。在衬底之上形成多层式结构。在所述多层式结构上形成具有台阶式侧壁的光刻胶堆叠。将所述光刻胶堆叠的图案转移到所述多层式结构。

公开(公告)号：CN110660745B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201910571460.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁思强 ,  林炳豪 ,  张复诚

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48

Abstract: 一种方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。第一晶圆包括多个介电层、穿过多个介电层的金属管以及由金属管环绕的介电区。介电区具有多个台阶，多个台阶由金属管环绕的多个介电层的部分的侧壁和顶面形成。该方法还包括蚀刻第一晶圆以去除介电区并且留下由金属管环绕的开口，将开口延伸到第二晶圆中以露出第二晶圆中的金属焊盘，以及用导电材料填充开口，以在开口中形成导电插塞。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN110660745A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910571460.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁思强 ,  林炳豪 ,  张复诚

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48

Abstract: 一种方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。第一晶圆包括多个介电层、穿过多个介电层的金属管以及由金属管环绕的介电区。介电区具有多个台阶，多个台阶由金属管环绕的多个介电层的部分的侧壁和顶面形成。该方法还包括蚀刻第一晶圆以去除介电区并且留下由金属管环绕的开口，将开口延伸到第二晶圆中以露出第二晶圆中的金属焊盘，以及用导电材料填充开口，以在开口中形成导电插塞。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN109786224A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811339883.3

申请日：2018-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林炳豪 ,  张复诚

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开一种形成半导体结构的方法。在衬底之上形成多层式结构。在所述多层式结构上形成具有台阶式侧壁的光刻胶堆叠。将所述光刻胶堆叠的图案转移到所述多层式结构。

公开(公告)号：CN104851859A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。