公开(公告)号：CN104851859B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。

公开(公告)号：CN105390398A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510323653.8

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  黄远国

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种形成场效应晶体管(FET)的方法。该方法包括对半导体衬底实施蚀刻工艺，从而在半导体衬底的源极和漏极(S/D)区域中形成凹槽；在凹槽中形成第一半导体的钝化材料层；以及外延生长第二半导体材料，从而在凹槽中形成S/D部件，其中S/D部件通过钝化材料层与半导体衬底间隔开。本发明还涉及金属惰性外延结构。

公开(公告)号：CN105390398B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201510323653.8

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  黄远国

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种形成场效应晶体管(FET)的方法。该方法包括对半导体衬底实施蚀刻工艺，从而在半导体衬底的源极和漏极(S/D)区域中形成凹槽；在凹槽中形成第一半导体的钝化材料层；以及外延生长第二半导体材料，从而在凹槽中形成S/D部件，其中S/D部件通过钝化材料层与半导体衬底间隔开。本发明还涉及金属惰性外延结构。

公开(公告)号：CN104851859A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410281358.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智飞 ,  张复诚 ,  郑志成 ,  陈信吉 ,  黄远国

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。