公开(公告)号：CN112305861A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201911366280.7

申请日：2019-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  李兴杰

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26

Abstract: 在光刻胶成像期间，利用单层工艺来减少摆动效应干扰及反射。向光刻胶中加入了抗反射添加剂，其中所述抗反射添加剂具有染料部分及反应部分。在分配时，反应部分将与下伏结构反应，以在下伏结构与光刻胶的剩余部分之间形成抗反射涂层。在成像期间，抗反射涂层将吸收能量从而防止能量被反射，或将改变反射的光学路径从而有助于减少由反射能量导致的干扰。

公开(公告)号：CN111863601B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201910800718.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  李兴杰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 使用具有检测添加剂的光刻胶，以在显影后检查工艺期间帮助增大图像的对比度。所述检测添加剂在显影后检查工艺期间发荧光并增加在显影后检查工艺期间反射的能量，从而在显影后检查工艺期间增大对比度并帮助识别以其他方式无法检测到的缺陷。

公开(公告)号：CN111863601A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910800718.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  李兴杰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 使用具有检测添加剂的光刻胶，以在显影后检查工艺期间帮助增大图像的对比度。所述检测添加剂在显影后检查工艺期间发荧光并增加在显影后检查工艺期间反射的能量，从而在显影后检查工艺期间增大对比度并帮助识别以其他方式无法检测到的缺陷。

公开(公告)号：CN115494698A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210021129.5

申请日：2022-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李兴杰 ,  郭宏瑞 ,  李明潭 ,  林庭亿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004

Abstract: 本文中公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，包括：制造光刻胶混合物，所述光刻胶混合物包括表面活性剂、基础溶剂、在温度上具有高于所述基础溶剂的沸点的一种或多种沸点改性溶剂、以及比所述基础溶剂更亲水的一种或多种亲水性改性溶剂；使用湿膜工艺将光刻胶混合物沉积到包括多个凸块下金属层的衬底上；以及执行预烘烤工艺，以固化光刻胶混合物。