公开(公告)号：CN110970381A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910926998.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  游珽崵

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/544 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体器件包括密封第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的模塑料；位于模塑料、第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上方的介电层；以及位于介电层上方并且将第一集成电路管芯电连接到第二集成电路管芯的金属化图案。金属化图案包括多条导线。多条导线中的每条导线从金属化图案的第一区域穿过金属化图案的第二区域连续延伸至金属化图案的第三区域；并且在金属化图案的第二区域中具有相同类型的制造异常。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115248536A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210787302.2

申请日：2022-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  游珽崵 ,  李明潭

IPC: G03F7/20

Abstract: 在实施例中，一种装置包括：能量源；支撑平台，用于保持晶片；光学路径，从能量源延伸到支撑平台；以及光掩模，被对准成使得光掩模的图案化主表面平行于重力，其中光学路径穿过光掩模，其中光掩模的图案化主表面垂直于支撑平台的最顶表面。

公开(公告)号：CN110970381B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201910926998.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  游珽崵

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/544 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体器件包括密封第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的模塑料；位于模塑料、第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上方的介电层；以及位于介电层上方并且将第一集成电路管芯电连接到第二集成电路管芯的金属化图案。金属化图案包括多条导线。多条导线中的每条导线从金属化图案的第一区域穿过金属化图案的第二区域连续延伸至金属化图案的第三区域；并且在金属化图案的第二区域中具有相同类型的制造异常。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN111952379A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910857662.3

申请日：2019-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭宏瑞 ,  李明潭 ,  游珽崵

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  H01L25/16

Abstract: 一种用于图案化半导体器件的光学光刻系统及其使用方法。在实施例中，一种光学装置包括：光路；棱镜，设置在所述光路上；透镜，设置在所述光路上；以及可调谐反射镜，设置在所述光路上，所述可调谐反射镜包括：反射镜，在其正面具有凹面；后支架，贴附到所述反射镜的背面；以及多个微调螺钉，从所述后支架延伸到所述反射镜的所述背面。

公开(公告)号：CN221407287U

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202322246924.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘子正 ,  游珽崵 ,  李明潭 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种半导体封装，其包括第一晶粒、第二晶粒及重布线层结构。第一晶粒及第二晶粒在侧向上设置。重布线层结构设置于第一晶粒及第二晶粒之上且电性连接至第一晶粒及第二晶粒，其中重布线层结构包括多个通孔及多条线，所述多个通孔与所述多条线交替地堆叠且电性连接至彼此并且嵌入于多个聚合物层，且其中自俯视图来看，所述多个通孔中的与第一晶粒或第二晶粒交叠的第一通孔具有类似椭圆形的形状。