-
公开(公告)号：CN1817782A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
-
公开(公告)号：CN101110447A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710086297.8
申请日：2007-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方；以及栅极电极，位于栅极介电质的上方。本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。
-
公开(公告)号：CN1841733A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610056990.6
申请日：2006-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8222 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法，可抵抗介电层的边缘崩溃。
-
公开(公告)号：CN100539001C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100499167C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710086297.8
申请日：2007-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方；以及栅极电极，位于栅极介电质的上方。本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。
-
公开(公告)号：CN100563029C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710180148.8
申请日：2007-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L29/1045 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一阱区，位于上述衬底上，具有第一导电类型；第二阱区，位于上述衬底上，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型；缓冲区，介于上述第一阱区与上述第二阱区之间，且邻接于上述第一阱区和上述第二阱区；隔离区，位于一部分上述第一阱区中，从上述第一阱区的顶面延伸至上述第一阱区中；栅极介电质，从上述第一阱区的上方延伸至上述第二阱区的上方，其中一部分上述栅极介电质位于上述隔离区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明用内部净杂质浓度低的缓冲区来隔开n型阱区和p型阱区，由此改善了HVMOS元件的性能；并降低衬底电流从而增加了HVMOS元件的寿命。
-
公开(公告)号：CN1778663A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115008.3
申请日：2005-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00253 , B81C2201/0178 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。
-
公开(公告)号：CN100390991C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610056990.6
申请日：2006-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8222 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法，可抵抗介电层的边缘崩溃。
-
公开(公告)号：CN101165921A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710180148.8
申请日：2007-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L29/1045 , H01L29/36 , H01L29/66128 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一阱区，位于上述衬底上，具有第一导电类型；第二阱区，位于上述衬底上，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型；缓冲区，介于上述第一阱区与上述第二阱区之间，且邻接于上述第一阱区和上述第二阱区；隔离区，位于一部分上述第一阱区中，从上述第一阱区的顶面延伸至上述第一阱区中；栅极介电质，从上述第一阱区的上方延伸至上述第二阱区的上方，其中一部分上述栅极介电质位于上述隔离区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明用内部净杂质浓度低的缓冲区来隔开n型阱区和p型阱区，由此改善了HVMOS元件的性能；并降低衬底电流从而增加了HVMOS元件的寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
