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发明公开
半导体装置结构及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119947219A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411838606.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 , 时定康 , 郑佳芸 , 吕育玮

IPC: H10D84/03 , H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构的制造方法包括形成多个半导体层堆叠，各个堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一半导体层及多个第二层。然后，形成栅极电极结构于各个半导体层堆叠上，各个栅极电极结构包括栅极间隔件。形成外延层于各对相邻半导体层堆叠之间的开口。在形成外延层后，以一斜角度对栅极间隔件施加氧离子束，以在栅极间隔件上形成具有一斜角度的氧化材料。然后用稀释的氢氟酸(HF)溶液去除氧化材料。

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