公开(公告)号：CN109420968A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710738601.6

申请日：2017-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白佳灵

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种化学机械研磨设备，包括：平台；研磨垫，设于平台上；以及研磨头组件，用以承载晶片，其中研磨头组件包括：基部；及晶片贴附膜，设于基部上，其中晶片贴附膜具有互为相反侧的上侧及下侧，其中上侧朝向基部，而下侧用以贴附晶片，且具有主表面以及自主表面凸出的多个凸状结构。

公开(公告)号：CN109420968B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201710738601.6

申请日：2017-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白佳灵

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种化学机械研磨设备，包括：平台；研磨垫，设于平台上；以及研磨头组件，用以承载晶片，其中研磨头组件包括：基部；及晶片贴附膜，设于基部上，其中晶片贴附膜具有互为相反侧的上侧及下侧，其中上侧朝向基部，而下侧用以贴附晶片，且具有主表面以及自主表面凸出的多个凸状结构。

公开(公告)号：CN119421430A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411324044.X

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王绍安 ,  时定康 ,  白佳灵 ,  林斌彦

IPC: H10D30/01 ,  H10D84/03 ,  H01L21/3065

Abstract: 公开一种形成半导体装置的源极/漏极区的方法。此方法包含形成鳍片结构于基板之上、形成多晶硅结构于鳍片结构之上、移除与多晶硅结构相邻的鳍片结构以形成开口以及形成源极/漏极区于开口之中。形成源极/漏极区包含将开口之中的鳍片结构暴露于：在气流循环的第一阶段期间的前驱气体的第一流速；在气流循环的第二阶段期间的前驱气体的第二流速。将开口之中的鳍片结构暴露于前驱气体、蚀刻气体以及等离子体是在原位工艺(in‑situ)中所执行的。

公开(公告)号：CN222322092U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420855864.0

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白佳灵 ,  黄智扬

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有和第一晶体管不同的导电类型，其中第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构和第二源/漏极磊晶结构。第二半导体通道层具有不同于第一晶向的第二晶向。第二栅极结构环绕第二半导体通道层。第二源/漏极磊晶结构位于第二半导体通道层的相对两端。

公开(公告)号：CN222261067U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420200758.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  林立德 ,  蔡邦彥 ,  洪宗佑 ,  林斌彦 ,  白佳灵

IPC: H01L27/092

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电性耦合至源极/漏极区并延伸穿过第一介电层；以及第一氮化物衬件，介于第一接触插塞与第一介电层之间，第一氮化物衬件具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度。