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公开(公告)号：CN109583239A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810722302.8
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示内容包含一种半导体装置。所述半导体装置包含第一记忆体电路、第二记忆体电路和处理电路。第一记忆体电路用以储存区别识别码(Identification，ID)。第二记忆体电路用以储存第一杂凑数据，其中所述第一杂凑数据依据所述区别识别码产生。处理电路用以在半导体装置启动时，依据区别识别码产生第二杂凑数据，并比较所述第一杂凑数据和所述第二杂凑数据以判断所述第二杂凑数据是否和所述第一杂凑数据匹配，并借此进行半导体装置的认证和操作。
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公开(公告)号：CN113675181B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110733511.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 多个半导体器件堆叠件布置。堆叠件中的各个半导体器件由发送到堆叠件中的标识信号选择。在每个堆叠件中将信号与存储在每个半导体器件中的唯一堆叠件标识符进行比较，当信号与唯一堆叠件标识符相同时，选择半导体器件，而在信号与唯一堆叠件不同时，则半导体器件保持在默认旁路模式内。本申请的实施例还涉及半导体器件及发送和接收数据的方法。
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公开(公告)号：CN108804954A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201711275069.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种真随机亚稳态触发器(TRMFF)编译器产生真随机亚稳态触发器链的电架构。所述编译器从标准胞元库选择真随机亚稳态触发器链的组件并根据本原多项式对这些组件进行逻辑连接以产生电架构。所述真随机亚稳态触发器链根据本原多项式从一个或多个实体进程提供随机数序列。在运算期间，真随机亚稳态触发器链内部及/或外部的一个或多个微观现象可造成在真随机亚稳态触发器链内存在一个或多个低电平的统计随机熵噪声信号。所述真随机亚稳态触发器链有利地利用所述一个或多个低电平的统计随机熵噪声信号来提供随机数序列。
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公开(公告)号：CN113675181A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110733511.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L27/108 , G11C7/10 , G11C7/22
Abstract: 多个半导体器件堆叠件布置。堆叠件中的各个半导体器件由发送到堆叠件中的标识信号选择。在每个堆叠件中将信号与存储在每个半导体器件中的唯一堆叠件标识符进行比较，当信号与唯一堆叠件标识符相同时，选择半导体器件，而在信号与唯一堆叠件不同时，则半导体器件保持在默认旁路模式内。本申请的实施例还涉及半导体器件及发送和接收数据的方法。
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公开(公告)号：CN113376437A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110586420.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文描述了集成阻抗测量器件、系统及其阻抗测量方法，用于使用集成阻抗测量器件测量DUT的阻抗。系统包括多个测量电路，FFT处理器和控制器。测量电路耦合到DUT。每个测量电路被配置为生成相应DUT的时钟信号，检测各个DUT的电压，并使用时钟信号和电压生成第一电压相关数据。FFT处理器耦合到测量电路。FFT处理器被配置为使用用于每个测量电路的快速傅里叶变换将第一电压相关数据转换为第二电压相关数据。控制器耦合到测量电路和FFT处理器。控制器被配置为使用针对每个测量电路的第二电压相关数据计算阻抗，并将阻抗输出到每个DUT。本发明的实施例还描述了阻抗测量器件、系统及确定被测器件的阻抗的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108804732A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201711218169.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本揭露涉及电子系统层级的电池放电模拟。本揭露的电子系统层级ESL设计及验证用于提供电子装置的一或多个电池上的各种负载的电子模拟，所述电子模拟由所述电子装置执行一或多个功能行为所致。在此电子模拟发生之前，使用高级软件语言或高级软件格式模型化所述电子装置。例如，电池放电模型、调节器效率模型、电力输送网络PDN模型或组件电力模型用于模型化所述电子装置的所述一或多个电池、调节器电路、电力输送网络PDN电路及其它电子电路的各自行为。在完成所述电子装置的模型化之后，本揭露的所述ESL设计及验证利用模拟算法连同所述电子装置的高级软件模型来模拟所述一或多个电池的电能的释放。
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公开(公告)号：CN111241763B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201911202058.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/32 , G06F30/3308 , G06F115/02
Abstract: 一集成电路共设计方法，其包含以下步骤：提取一第一电流曲线模型是相关于在一晶片上系统的一第一设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第一电流曲线模型，决定一集成电压调节器及该晶片上系统是否通过一第一共模拟。下一个，提取一第二电流曲线模型，该第二电流曲线模型是相关于在该晶片上系统的一第二设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第二电流曲线模型，决定该集成电压调节器与该晶片上系统是否通过一第二共模拟。提取一第三电流曲线模型，该提取第三电流曲线模型是相关于在该晶片上系统的一第三设计阶段的该晶片上系统。然后根据该提取第三电流曲线模型，决定该集成电压调节器与该晶片上系统是否通过一第三共模拟。
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公开(公告)号：CN113113397A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110162284.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一基板一第一裸晶及一第二裸晶设置在第一基板之上，并且彼此相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板及第一裸晶之间，与第一基板及第二裸晶之间。一第二基板设置在第一基板下方。多个第二导电凸块设置在第一基板及第二基板之间。一封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。
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公开(公告)号：CN113157045B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010075340.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及电压调节器电路和方法。一种电压调节器包括输出节点、控制电路和功率级。该控制电路被配置为从耦合至输出节点的负载电路接收功率状态信号，并基于该功率状态信号输出控制信号。该功率级包括耦合至输出节点的多个相位电路，并且被配置为响应于控制信号而启用多个相位电路中的相位电路。
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公开(公告)号：CN113157045A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010075340.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及电压调节器电路和方法。一种电压调节器包括输出节点、控制电路和功率级。该控制电路被配置为从耦合至输出节点的负载电路接收功率状态信号，并基于该功率状态信号输出控制信号。该功率级包括耦合至输出节点的多个相位电路，并且被配置为响应于控制信号而启用多个相位电路中的相位电路。
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