公开(公告)号：CN113113397A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110162284.4

申请日：2021-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 艾伦·罗斯 ,  保罗·拉努奇 ,  艾力克·苏宁 ,  徐英智 ,  王徐玫 ,  周浩华 ,  黄智强

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一基板一第一裸晶及一第二裸晶设置在第一基板之上，并且彼此相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板及第一裸晶之间，与第一基板及第二裸晶之间。一第二基板设置在第一基板下方。多个第二导电凸块设置在第一基板及第二基板之间。一封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。

公开(公告)号：CN113675181B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110733511.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周浩华 ,  王徐玫 ,  黄智强

IPC: H01L25/16 ,  H10B12/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 多个半导体器件堆叠件布置。堆叠件中的各个半导体器件由发送到堆叠件中的标识信号选择。在每个堆叠件中将信号与存储在每个半导体器件中的唯一堆叠件标识符进行比较，当信号与唯一堆叠件标识符相同时，选择半导体器件，而在信号与唯一堆叠件不同时，则半导体器件保持在默认旁路模式内。本申请的实施例还涉及半导体器件及发送和接收数据的方法。

公开(公告)号：CN113675181A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110733511.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周浩华 ,  王徐玫 ,  黄智强

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/108 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 多个半导体器件堆叠件布置。堆叠件中的各个半导体器件由发送到堆叠件中的标识信号选择。在每个堆叠件中将信号与存储在每个半导体器件中的唯一堆叠件标识符进行比较，当信号与唯一堆叠件标识符相同时，选择半导体器件，而在信号与唯一堆叠件不同时，则半导体器件保持在默认旁路模式内。本申请的实施例还涉及半导体器件及发送和接收数据的方法。

公开(公告)号：CN113376437A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110586420.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周浩华 ,  王徐玫 ,  黄智强

IPC: G01R27/08 ,  G01R31/00

Abstract: 本文描述了集成阻抗测量器件、系统及其阻抗测量方法，用于使用集成阻抗测量器件测量DUT的阻抗。系统包括多个测量电路，FFT处理器和控制器。测量电路耦合到DUT。每个测量电路被配置为生成相应DUT的时钟信号，检测各个DUT的电压，并使用时钟信号和电压生成第一电压相关数据。FFT处理器耦合到测量电路。FFT处理器被配置为使用用于每个测量电路的快速傅里叶变换将第一电压相关数据转换为第二电压相关数据。控制器耦合到测量电路和FFT处理器。控制器被配置为使用针对每个测量电路的第二电压相关数据计算阻抗，并将阻抗输出到每个DUT。本发明的实施例还描述了阻抗测量器件、系统及确定被测器件的阻抗的方法。

公开(公告)号：CN218100029U

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202221587093.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周浩华 ,  王徐玫 ,  黄智强

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种半导体装置包括模拟电压调节器及集成电路模块。模拟电压调节器产生经调节的输出电压。集成电路模块基于经调节的输出电压产生模拟感测电压且包括集成电路晶粒、第一感测器、第二感测器及数字电压偏移控制器(DVOC)。第一感测器基于模拟参考电压产生数字参考电压。第二电压感测器侦测集成电路晶粒上的预定位置处的电压。数字电压偏移控制器产生数字偏移电压，数字偏移电压实质上等于数字参考电压与由第二电压感测器中的选定第二电压感测器侦测到的电压之间的差。经调节的输出电压是基于未经调节的输入电压、模拟感测电压及数字偏移电压。