公开(公告)号：CN108288604A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711208758.4

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘国华 ,  许哲玮 ,  陈华丰 ,  林俊铭 ,  彭陈锽 ,  谢旻谚 ,  巫嘉豪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种方法包括形成晶体管，其中，形成晶体管包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，以及形成第一层间电介质。伪栅极堆叠件位于第一ILD中，并且第一ILD覆盖半导体区中的源极/漏极区。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以在第一ILD中形成沟槽，在沟槽中形成低k栅极间隔件，形成延伸到沟槽中的替换栅极电介质，形成金属层以填充沟槽，以及实施平坦化以去除替换栅极电介质和金属层的多余部分，以分别形成栅极电介质和金属栅极。然后在金属栅极的相对侧上形成源极区和漏极区。本发明实施例涉及接触插塞及其制造方法。

公开(公告)号：CN108288604B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201711208758.4

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘国华 ,  许哲玮 ,  陈华丰 ,  林俊铭 ,  彭陈锽 ,  谢旻谚 ,  巫嘉豪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L21/336

Abstract: 一种方法包括形成晶体管，其中，形成晶体管包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，以及形成第一层间电介质。伪栅极堆叠件位于第一ILD中，并且第一ILD覆盖半导体区中的源极/漏极区。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以在第一ILD中形成沟槽，在沟槽中形成低k栅极间隔件，形成延伸到沟槽中的替换栅极电介质，形成金属层以填充沟槽，以及实施平坦化以去除替换栅极电介质和金属层的多余部分，以分别形成栅极电介质和金属栅极。然后在金属栅极的相对侧上形成源极区和漏极区。本发明实施例涉及接触插塞及其制造方法。