公开(公告)号：CN112992788B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202011481766.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许昶志 ,  尤志豪 ,  张长昀 ,  曹修豪 ,  彭裕钧

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。

公开(公告)号：CN105280558A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510288647.3

申请日：2015-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤志豪 ,  余绍铭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/823821

Abstract: 一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍结构，在第一鳍结构上方形成介电层，在介电层内形成具有垂直轮廓的沟槽，在沟槽的侧壁和底部上方共形地沉积第一半导体材料层，在第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料层以填充剩余的沟槽，使介电层凹进以横向暴露第一半导体材料层以及蚀刻暴露的第一半导体材料层以露出第二半导体材料层。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的结构。

公开(公告)号：CN118888631A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410672253.7

申请日：2024-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王伟民 ,  陈承 ,  尤志豪 ,  戴世芃

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232

Abstract: 本公开实施例提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成包括多个光子晶粒的第一晶圆。所述方法包括形成包括多个电子晶粒的第二晶圆。所述方法包括在第二晶圆内形成微透镜。所述方法包括在形成微透镜之后将第一晶圆接合到第二晶圆。所述方法还包括执行单片化工艺以切割第一晶圆及第二晶圆以形成多个光子封装，其中光子封装之一者包括电子晶粒、接合到电子晶粒的光子晶粒、以及嵌入电子晶粒中的一或多个微透镜。

公开(公告)号：CN113257740A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202011410902.4

申请日：2020-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭裕钧 ,  曹修豪 ,  陈书涵 ,  许昶志 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  尤志豪 ,  张长昀

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极/漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103177950A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210073104.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  尤志豪 ,  张长昀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845

Abstract: 提供了一种形成带有鳍的半导体器件的结构和方法。在实施例中，硬掩模用于图案化栅电极层并且然后被去除。在去除硬掩模之后，栅电极层可以被分成独立栅电极。本发明还提供了一种制造鳍器件的结构和方法。

公开(公告)号：CN113113493B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202110170950.9

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伯峰 ,  尤志豪 ,  林家彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本公开的半导体器件包括沟道构件，沟道构件包括第一连接部分、第二连接部分和布置在该第一连接部分与该第二连接部分之间的沟道部分；布置在第一连接部分上方并且与第一连接部分接触的第一内部间隔部件；布置在第一连接部分下方并且与第一连接部分接触的第二内部间隔部件；以及包裹沟道构件的沟道部分的栅极结构。该沟道构件还包括第一脊，该第一脊位于沟道构件的顶面上并且布置在沟道部分与第一连接部分之间的界面处。第一脊部分地在第一内部间隔部件与栅极结构之间延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN117420635A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311123026.0

申请日：2023-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 夏兴国 ,  巢瑞麟 ,  余振华 ,  尤志豪 ,  戴世芃

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: 呈现了光学器件及其制造方法，其中激光管芯或其它异构器件嵌入在光学器件内并且倏逝耦合至其它器件。倏逝耦合可以从激光管芯至波导、至外腔、至外部耦合器或者至中介层衬底实施。

公开(公告)号：CN114122135A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110935753.1

申请日：2021-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦仁 ,  吕伟元 ,  尤志豪 ,  林家彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种半导体结构。根据本发明实施例的半导体结构包含第一通道构件和设置在第一通道构件上的第二通道构件，耦接至第一通道构件的第一通道延伸部件，耦接至第二通道构件的第二通道延伸部件，以及设置在第一通道延伸部件与第二通道延伸部件之间的内部间隙物部件。

公开(公告)号：CN107039526B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201610908580.3

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤志豪 ,  杨世海 ,  王圣祯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括第一FET和第二FET，该第一FET和第二FET分别包括第一沟道区域和第二沟道区域。第一FET和第二FET分别包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括在第一沟道区域和第二沟道区域上方形成的第一栅极介电层和第二栅极介电层以及在第一栅极介电层和第二栅极介电层上方形成的第一栅电极层和第二栅电极层。第一栅极结构和第二栅极结构沿着第一方向对准。第一栅极结构和第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离。从平面图观察时，分离插塞在垂直于第一方向的第二方向上的宽度小于第一栅极结构在第二方向上的宽度。本发明实施例涉及具有鳍结构的半导体器件及其制造工艺。

公开(公告)号：CN119596459A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647162.4

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  郭佑豪 ,  尤志豪 ,  崔壬汾 ,  巢瑞麟 ,  夏兴国 ,  余国宠 ,  余振华

IPC: G02B6/13 ,  H01S5/0235 ,  H01S5/0239 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/42

Abstract: 本公开提出了光学器件及其制造方法，其中在第一光学组件的第一有源层上形成金属化层，穿过金属化层形成第一开口，在金属化层上接合第一半导体管芯，在金属层上接合激光管芯，其中在接合激光管芯之后，位于激光管芯内的第一反射镜通过第一开口与第二反射镜对准。