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公开(公告)号：CN112992788B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011481766.8
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。
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公开(公告)号：CN113257740A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011410902.4
申请日：2020-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极/漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113130399A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011471524.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成突出于基板之上的鳍片，其中鳍片的顶部部分包括膜层堆叠，膜层堆叠包括第一半导体材料与第二半导体材料的交替膜层；于鳍片之上形成虚置栅极结构；于虚置栅极结构两侧的鳍片中形成开口；于开口中形成源极/漏极区；移除虚置栅极结构以露出虚置栅极结构之下的第一半导体材料与第二半导体材料；进行第一蚀刻工艺，以选择性地移除露出的第一半导体材料，其中在第一蚀刻工艺之后，露出的第二半导体材料形成了纳米结构，其中纳米结构各具有第一形状；以及在第一蚀刻工艺之后，进行第二蚀刻工艺，以将各个纳米结构再塑形成与第一形状不同的第二形状。
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公开(公告)号：CN112992788A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011481766.8
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。
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公开(公告)号：CN115881793A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211035427.6
申请日：2022-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包括形成从衬底突出的鳍结构，并且鳍结构包括交替堆叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层。方法还包括形成跨过鳍结构的伪栅极结构以及在伪栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件。方法还包括部分地氧化栅极间隔件以形成氧化物层和去除氧化物层以形成修改的栅极间隔件。方法还包括去除第一半导体材料层以形成间隙，并形成栅极结构，栅极结构位于间隙中以环绕第二半导体材料层并且位于第二半导体材料层上方以覆盖修改的栅极间隔件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380712A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110587513.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极/漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极/漏极区域之间延伸的空隙。
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公开(公告)号：CN112309868A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010317194.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置形成方法，包括在基底上形成鳍片，在基底上形成绝缘材料，凹蚀绝缘材料以形成环绕鳍片的隔离区，其中鳍片的上部于隔离区的上方突出，执行修整工艺以减少鳍片的上部的宽度，以及形成延伸至隔离区上方与鳍片的上部的上方的栅极结构。
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公开(公告)号：CN222532106U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202420588862.X
申请日：2024-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括设置于鳍片上方的晶体管的第一通道区，鳍片可包括在第一方向上延伸的半导体材料。栅极结构衬垫第一通道区并在垂直于第一方向的第二方向上在隔离区上方延伸，栅极结构的第一部分向下延伸至隔离区的上表面中一凹痕中。装置亦包括嵌入鳍片中第一通道区的任一侧上的磊晶结构，磊晶结构由第一层间介电质侧向围绕。
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公开(公告)号：CN221783214U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202420084333.6
申请日：2024-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括半导体材料、第一外延源极/漏极区域、第二外延源极/漏极区域、第一虚设栅极介电层、第二虚设栅极介电层及界面介电质。半导体材料设置在基板之上。第一外延源极/漏极区域接触半导体材料的第一端。第二外延源极/漏极区域接触半导体材料的与第一端相对的第二端。第一虚设栅极介电层接触半导体材料及第一外延源极/漏极区域。第二虚设栅极介电层接触半导体材料及第二外延源极/漏极区域。界面介电质设置在第一虚设栅极介电层及第二虚设栅极介电层之间。
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公开(公告)号：CN220189656U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202321054122.X
申请日：2023-05-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，提供介电区域包括在纳米结构晶体管之中的半导体装置。介电区域，可以对应于气隙，可以在沿着金属栅极结构的侧壁的介电间隔物层之间。形成介电区域的技术可以包括在制造纳米结构晶体管的期间在介电间隔物层之间使用暂时的间隔物层。暂时的间隔物层可以包括硅锗材料，硅锗材料具有反应机制，其允许选择性去除暂时的间隔物层，而不会对介电间隔物层、金属栅极结构或纳米结构晶体管的其他部分造成损坏。
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