公开(公告)号：CN119008588A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410897941.3

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  涂纪诚 ,  杨素纯 ,  戴世芃 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/56

Abstract: 一种方法包括将第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶接合至基板，其中间隙设置在第一半导体裸晶的第一侧壁以及第二半导体裸晶的第二侧壁之间；执行等离子体处理以利用第一掺杂剂掺杂第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶中的每一个的顶部表面以及侧壁，其中第一侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第一半导体裸晶的顶部表面朝向第一半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低，且第二侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第二半导体裸晶的顶部表面朝向第二半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低；以及利用旋涂介电材料填充间隙。

公开(公告)号：CN119596459A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647162.4

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  郭佑豪 ,  尤志豪 ,  崔壬汾 ,  巢瑞麟 ,  夏兴国 ,  余国宠 ,  余振华

IPC: G02B6/13 ,  H01S5/0235 ,  H01S5/0239 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/42

Abstract: 本公开提出了光学器件及其制造方法，其中在第一光学组件的第一有源层上形成金属化层，穿过金属化层形成第一开口，在金属化层上接合第一半导体管芯，在金属层上接合激光管芯，其中在接合激光管芯之后，位于激光管芯内的第一反射镜通过第一开口与第二反射镜对准。

公开(公告)号：CN119132975A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411012245.6

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  郭佑豪 ,  张巧君 ,  蔡睿轩 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  涂纪诚 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  G02B6/42

Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。

公开(公告)号：CN222690679U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202421221143.0

申请日：2024-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  黄友怡 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种封装结构，包括具有第一表面和第二表面的基底。第二表面相对于第一表面。此封装结构包括形成在基底中的多个基底通孔(TSV)结构。基底通孔结构的宽度从第一表面向第二表面逐渐缩小。封装结构包括接合至基底的第一表面的芯片。封装结构亦包括接合到基底的第一表面并且邻接于芯片的多个晶粒。封装结构还包括形成在芯片和晶粒之间的成型材料。此外，封装结构包括连接至第二表面上的基底通孔结构的多个凸块结构。