半导体器件及其形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116741730A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310415915.8

    申请日:2023-04-18

    Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中,器件包括:第一集成电路管芯;第二集成电路管芯;间隙填充电介质,位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间;保护盖,与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠;以及隔离层,位于保护盖周围,隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

    半导体结构及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112117263A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010461623.4

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括堆叠结构。堆叠结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包括具有第一有源表面及与第一有源表面相对的第一背表面的第一半导体衬底。第二半导体管芯位于第一半导体管芯之上,且包括具有第二有源表面及与第二有源表面相对的第二背表面的第二半导体衬底。第二半导体管芯通过沿垂直方向在第一混合接合界面处将第二有源表面结合到第一背表面而接合到第一半导体管芯。沿侧向方向,第一半导体管芯的第一尺寸大于第二半导体管芯的第二尺寸。

    封装结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109585386A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201711130866.4

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 根据一些实施例,一种封装结构包括射频集成电路芯片、绝缘包封体、重布线路结构、天线、及微波导向器。所述绝缘包封体包封所述射频集成电路芯片。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体上且电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线设置在所述绝缘包封体上且经由所述重布线路结构电连接到所述射频集成电路芯片。所述天线位于所述微波导向器与所述射频集成电路芯片之间。所述微波导向器具有微波方向性增强表面,所述微波方向性增强表面位于由所述天线接收或产生的微波的传播路径中。

    封装结构
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108630628A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201710718432.X

    申请日:2017-08-21

    Abstract: 本公开提供一种封装结构,所述封装结构包括:管芯;第一模塑化合物,包封所述管芯;天线结构;以及反射器图案,设置在所述管芯之上。穿透所述第一模塑化合物的穿孔设置在所述管芯周围。所述反射器图案设置在所述管芯及所述穿孔上。所述天线结构设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接。所述天线结构被设置在所述反射器图案上的第二模塑化合物包覆。

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