公开(公告)号：CN116741730A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310415915.8

申请日：2023-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  萧闵谦 ,  郭峻江 ,  林宗澍

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110034103B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811440519.6

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡致嘉 ,  陈宪伟 ,  陈明发 ,  詹森博 ,  郭峻江

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明实施例公开一种半导体结构，包括第一管芯及第二管芯。所述第一管芯包括其中设置有第一多个结合垫的第一氧化物结合层及设置在所述第一氧化物结合层中的第一密封环。所述第一氧化物结合层在所述第一密封环之上延伸。所述第二管芯包括其中设置有第二多个结合垫的第二氧化物结合层。所述第一多个结合垫结合到所述第二多个结合垫。所述第一氧化物结合层结合到所述第二氧化物结合层。夹置在所述第一密封环与所述第二氧化物结合层之间的区域不含结合垫。

公开(公告)号：CN110034103A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811440519.6

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡致嘉 ,  陈宪伟 ,  陈明发 ,  詹森博 ,  郭峻江

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明实施例公开一种半导体结构，包括第一管芯及第二管芯。所述第一管芯包括其中设置有第一多个结合垫的第一氧化物结合层及设置在所述第一氧化物结合层中的第一密封环。所述第一氧化物结合层在所述第一密封环之上延伸。所述第二管芯包括其中设置有第二多个结合垫的第二氧化物结合层。所述第一多个结合垫结合到所述第二多个结合垫。所述第一氧化物结合层结合到所述第二氧化物结合层。夹置在所述第一密封环与所述第二氧化物结合层之间的区域不含结合垫。