-
公开(公告)号：CN109815783A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811396203.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开一种感测设备。所述感测设备包括：图像传感器；准直仪，位于所述图像传感器上方，所述准直仪具有孔径阵列；滤光层，位于所述准直仪与所述图像传感器之间，其中所述滤光层被配置成过滤透射过所述孔径阵列的一部分光；以及照明层，位于所述准直仪上方。
-
公开(公告)号：CN102381677B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110037693.8
申请日：2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周正三
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0714 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开了一种复合晶片半导体元件，其包含第一晶片和第二晶片。第一晶片具有第一侧与第二侧，而第二侧是实质相对于第一侧。复合晶片半导体元件亦包含隔离组与自由空间，其中隔离组是形成于第一晶片的第一侧，且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶片接合至上述隔离组。形成如惯性感测元件的浮动结构于上述自由空间之上的第二晶片之中。在一实施例中，表面接合垫形成于第一晶片的第二侧。接着，使用穿透硅介层窗(TSV)导体电性连结浮动结构至表面接合垫。
-
公开(公告)号：CN102381677A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110037693.8
申请日：2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周正三
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0714 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开了一种复合晶片半导体元件，其包含第一晶片和第二晶片。第一晶片具有第一侧与第二侧，而第二侧是实质相对于第一侧。复合晶片半导体元件亦包含隔离组与自由空间，其中隔离组是形成于第一晶片的第一侧，且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶片接合至上述隔离组。形成如惯性感测元件的浮动结构于上述自由空间之上的第二晶片之中。在一实施例中，表面接合垫形成于第一晶片的第二侧。接着，使用穿透硅介层窗(TSV)导体电性连结浮动结构至表面接合垫。
-
公开(公告)号：CN112015295B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202010474732.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种感测装置、电子设备及用于形成感测装置的方法。在一些实施例中，所述感测装置包括：图像感测器；准直仪，在所述图像感测器的上方，其中所述准直仪包括孔阵列；以及光学滤光层，在所述准直仪的上方，其中所述光学滤光层被配置成过滤将要透射至所述孔阵列中的一部分光。本发明可避免由于充电、应力效应和热副作用而导致的性能下降。
-
公开(公告)号：CN112015295A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010474732.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种感测装置、电子设备及用于形成感测装置的方法。在一些实施例中，所述感测装置包括：图像感测器；准直仪，在所述图像感测器的上方，其中所述准直仪包括孔阵列；以及光学滤光层，在所述准直仪的上方，其中所述光学滤光层被配置成过滤将要透射至所述孔阵列中的一部分光。本发明可避免由于充电、应力效应和热副作用而导致的性能下降。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103373695A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210390963.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。
-
公开(公告)号：CN109835865B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN103373695B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210390963.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。
-
公开(公告)号：CN109835865A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN106505056A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804266.0
申请日：2016-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08 , H01L23/488 , B81C1/00015 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.033 seconds)
