公开(公告)号：CN103373695B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210390963.8

申请日：2012-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张嘉诚 ,  范成至 ,  周正三

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。

公开(公告)号：CN103373695A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210390963.8

申请日：2012-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张嘉诚 ,  范成至 ,  周正三

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。