公开(公告)号：CN106067422A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201510790930.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周振成 ,  张简旭珂 ,  吴政达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。

公开(公告)号：CN106067422B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510790930.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周振成 ,  张简旭珂 ,  吴政达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。

公开(公告)号：CN101165922A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710145334.8

申请日：2007-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈朝祺 ,  金明铸 ,  周振成

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种堆叠式金属－氧化物－金属(MOM)电容器结构及其制造方法，以增加电极/电容器介电耦合面积，并借以增加电容，此金属－氧化物－金属电容器结构包括多个金属化层，呈堆叠关系；其中每一金属化层包括实质平行且分隔开的多个导电电极线部分，且这些导电电极线部分至少包括一第一中介电容器介电质；以及其中这些导电电极线部分借由多个导电镶嵌线部分而电性交互连接在金属化层之间，且导电镶嵌线部分形成于一第二电容器介电质中且位于这些导电电极线部分的下方。本发明在微缩化金属－氧化物－金属结构的同时，获得较高电容值。

公开(公告)号：CN222338291U

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202420642630.8

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢协宏 ,  周振成 ,  杨化雨 ,  郑明达 ,  萧茹雄 ,  叶子祯 ,  陈清晖 ,  李胜高

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01Q1/22 ,  H04N25/70

Abstract: 一种半导体装置，包括基板、前端模块电路以及晶圆级晶片尺寸封装电路，前端模块电路位于基板之上并配置为提供射频通讯，晶圆级晶片尺寸封装电路位于前端模块电路之上并与前端模块电路连接，晶圆级晶片尺寸封装电路配置为提供用于射频通讯的被动元件。本公开还涉及一种相关的集成电路。