公开(公告)号：CN101661933B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910163584.3

申请日：2009-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖素贞 ,  吴明园 ,  郑光茗 ,  庄学理 ,  叶炅翰 ,  张宏迪 ,  郭正诚 ,  吴建宏 ,  李宗吉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

Abstract: 一种半导体装置，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一栅极结构，该栅极结构具有一高介电常数介电及一金属栅极；一装置，形成于该基底的第二部分中，该装置通过一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该晶体管的该栅极结构的一表面。所述的半导体装置不需要额外的制造工艺步骤，如光罩，不会增加目前制造工艺的复杂度。

公开(公告)号：CN101661933A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910163584.3

申请日：2009-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖素贞 ,  吴明园 ,  郑光茗 ,  庄学理 ,  叶炅翰 ,  张宏迪 ,  郭正诚 ,  吴建宏 ,  李宗吉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

Abstract: 一种半导体装置，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一栅极结构，该栅极结构具有一高介电常数介电及一金属栅极；一装置，形成于该基底的第二部分中，该装置通过一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该晶体管的该栅极结构的一表面。所述的半导体装置不需要额外的制造工艺步骤，如光罩，不会增加目前制造工艺的复杂度。