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公开(公告)号：CN102468035B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110332261.X
申请日：2011-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F2027/2809 , H03H7/42 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种用于传输信号的系统和方法。一个实施例包括平衡-不平衡变压器，比如Marchand平衡-不平衡变压器，具有带有主线圈和第一次级线圈的第一变压器，以及带有主线圈和第二次级线圈的第二变压器。第一次级线圈和第二次级线圈连接到接地层，该接地层具有槽口线，该槽口线位于第一变压器和第二变压器中的线圈的分隔处下方。槽口线还可以具有指状物。
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公开(公告)号：CN102280496B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010533990.7
申请日：2010-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/016 , H01L29/93
Abstract: 本发明揭露一种变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路。此变容器包含半导体基材、介电层、导电材料与杂质植入区域。半导体基材具有穿过基材表面的开口。介电层是设置于开口中的侧表面上。导电材料是形成介电层上并填充开口，形成可导电的穿透基材介层窗。杂质植入区域是设置于基材中且环绕穿透基材介层窗与介电层。此三维集成电路包含此变容器、电感与主动电路。在形成变容器的方法中，首先提供基材。接着，形成开口于基材的第一表面上。然后，植入杂质于环绕开口的侧壁上。接着，形成介电层于位在开口中的被植入杂质的侧壁上。接着，以导电材料来填充开口。
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公开(公告)号：CN102468035A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110332261.X
申请日：2011-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F2027/2809 , H03H7/42 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种用于传输信号的系统和方法。一个实施例包括平衡-不平衡变压器，比如Marchand平衡-不平衡变压器，具有带有主线圈和第一次级线圈的第一变压器，以及带有主线圈和第二次级线圈的第二变压器。第一次级线圈和第二次级线圈连接到接地层，该接地层具有槽口线，该槽口线位于第一变压器和第二变压器中的线圈的分隔处下方。槽口线还可以具有指状物。
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公开(公告)号：CN102280496A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010533990.7
申请日：2010-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/016 , H01L29/93
Abstract: 本发明揭露一种变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路。此变容器包含半导体基材、介电层、导电材料与杂质植入区域。半导体基材具有穿过基材表面的开口。介电层是设置于开口中的侧表面上。导电材料是形成介电层上并填充开口，形成可导电的穿透基材介层窗。杂质植入区域是设置于基材中且环绕穿透基材介层窗与介电层。此三维集成电路包含此变容器、电感与主动电路。在形成变容器的方法中，首先提供基材。接着，形成开口于基材的第一表面上。然后，植入杂质于环绕开口的侧壁上。接着，形成介电层于位在开口中的被植入杂质的侧壁上。接着，以导电材料来填充开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270532B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201010279223.8
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据实施例，一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层，并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层，并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电连接至第二导电图案以形成线圈。其他实施例考虑线圈、电感器和/或变压器的其他结构，并考虑多种制造方法。
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公开(公告)号：CN102800961A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110424041.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q1/50 , G06F17/5068 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L2223/6616 , H01L2223/6677 , H01L2225/06531 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/1421 , H01L2924/1461 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q5/357 , H01Q9/0421 , H01Q9/0442 , H01Q9/145 , Y10T29/49016 , H01L2924/00
Abstract: 一种天线包括：基板和位于基板上方的顶板。至少一条馈线连接至顶板，并且每条馈线包括穿过基板的第一硅通孔(TSV)结构。将至少一条地线路连接至顶板，并且每条地线包括穿过基板的第二TSV结构。顶板为电导体，并且将至少一条馈线配置为传送射频信号。将至少一条地线配置为接地。
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公开(公告)号：CN112563204A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011026437.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 披露了半导体装置与其制造方法。例示性的方法包括：于基板的第一区中形成含第一半导体材料的第一半导体层；于第一半导体层与基板上交错沉积多个第二半导体层与多个第三半导体层，以形成半导体层堆叠，其中第二半导体层包括第二半导体材料，第三半导体层包括第一半导体材料，第二半导体材料与第一半导体材料不同，第二半导体层的一者的下表面接触第一区中的第一半导体层与基板的第二区中的基板；平坦化半导体层堆叠的上表面；以及图案化半导体层堆叠，以于第一区中形成第一半导体结构，以及于第二区中形成第二半导体层结构。
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公开(公告)号：CN102800961B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110424041.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q1/50 , G06F17/5068 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L2223/6616 , H01L2223/6677 , H01L2225/06531 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/1421 , H01L2924/1461 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q5/357 , H01Q9/0421 , H01Q9/0442 , H01Q9/145 , Y10T29/49016 , H01L2924/00
Abstract: 一种天线包括：基板和位于基板上方的顶板。至少一条馈线连接至顶板，并且每条馈线包括穿过基板的第一硅通孔(TSV)结构。将至少一条地线路连接至顶板，并且每条地线包括穿过基板的第二TSV结构。顶板为电导体，并且将至少一条馈线配置为传送射频信号。将至少一条地线配置为接地。
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公开(公告)号：CN102270532A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010279223.8
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据实施例，一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层，并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层，并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电连接至第二导电图案以形成线圈。其他实施例考虑线圈、电感器和/或变压器的其他结构，并考虑多种制造方法。
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