公开(公告)号：CN103137633A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN103137633B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN118553752A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410162676.4

申请日：2024-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺积贤 ,  王子睿 ,  萧家棋 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种图像传感器集成芯片结构。所述图像传感器集成芯片结构包括一个或多个逻辑器件，设置在第一衬底内并耦合到所述第一衬底上的第一互连结构。多个像素支撑器件沿着第二衬底的第一侧设置并耦合到所述第二衬底上的第二互连结构。第一衬底接合到第二衬底。多个图像感测元件在第三衬底内设置在像素区域中，像素区域分别包括所述多个图像感测元件中的两个或多个。多个传输栅极和第三互连结构设置在第三衬底的第一侧上。第三互连结构包括限制在所述第二衬底的所述第一侧与所述第三衬底的所述第一侧之间的互连线和互连通孔。本申请的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片结构的方法。

公开(公告)号：CN118198092A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410084734.6

申请日：2024-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺积贤 ,  王子睿 ,  萧家棋 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例关于一种图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括用于增强按比例缩小的具有双PD布局的像素。像素跨越第一集成电路(IC)管芯和与第一IC管芯堆叠的第二IC管芯。该像素包括在第一IC管芯中的多个光电检测器，并且还包括分开在第一IC管芯和第二IC管芯之中的多个像素晶体管。多个光电检测器被分组为一个或多个对，每个对具有双PD布局。DTI结构完全地且单独地围绕多个光电检测器，并且进一步完全延伸穿过其中布置有多个光电检测器的衬底。这样，DTI结构将多个光电检测器彼此完全分离。

公开(公告)号：CN222261070U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420465133.5

申请日：2024-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟积贤 ,  王子睿 ,  萧家棋 ,  黄冠杰 ,  徐伟诚 ,  杨皓麟 ,  廖羿涵 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一些实施例涉及IC装置。IC装置包括包含多个画素方块的第一芯片，多个画素方块分别包括第一多个导电垫中的一个，多个画素方块排列在第一方向延伸的行中和在垂直于第一方向的第二方向延伸的列中；在接合接口处接合到第一芯片的第二芯片，其中第二芯片包括凹陷的第二多个导电垫并且第二多个导电垫沿接合接口处接触第一多个导电垫；以及第一波纹状屏蔽线，具有从多个画素方块的第一行的最外面的边缘沿第二方向缩回的最外边缘，第一波纹状屏蔽线布置在第一介电层内并在多个画素方块的第一行中将相邻的第一多个导电垫侧向地隔开。

公开(公告)号：CN222190729U

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202420051786.9

申请日：2024-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟积贤 ,  王子睿 ,  萧家棋 ,  庄君豪 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种包括第一半导体衬底的集成芯片。第一半导体衬底包括掺杂区。第一光感测器和第二光感测器在第一半导体衬底中。沟渠隔离层至少部分地围绕第一光感测器和第二光感测器并在第一光感测器和第二光感测器之间延伸。沟渠隔离层具有第一对侧壁。第一半导体衬底从第一光感测器延伸在第一对侧壁之间到第二光感测器。掺杂区在第一对侧壁之间。第一光感测器和第一栅极部分地形成第一晶体管。第二光感测器和第二栅极部分地形成第二晶体管。第二半导体衬底在第一栅极和第二栅极之上。第三晶体管沿着第二半导体衬底。第三晶体管耦接到第一晶体管。