公开(公告)号：CN108122764A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710334591.X

申请日：2017-05-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克范达尔 ,  吉尔本·朵尔伯斯 ,  麦特西亚斯帕斯拉克 ,  马汀克里斯多福荷兰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成环绕式栅极场效晶体管(gate-all-around field effect transistor；GAAFET)的方法。环绕式栅极场效晶体管包含砷化铟纳米线、一栅极介电层与一栅极电极金属层。砷化铟纳米线作为一通道层。栅极介电层包覆此砷化铟纳米线。栅极电极金属层形成在栅极电极层上。砷化铟纳米线具有第一主要表面到第四主要表面、三圆角面以及一凹圆角面。

公开(公告)号：CN108122961A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710655472.4

申请日：2017-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吉尔本·朵尔伯斯 ,  林仲德 ,  马克范达尔

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体元件，包含设置于基材上的第一与第二纳米线结构，第一及第二纳米线沿着第一方向延伸。第一纳米线结构包含多个第一纳米线。第一纳米线沿着第一方向延伸且沿着垂直第一方向的第二方向排列。第二纳米线结构包含多个第二纳米线。第二纳米线沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列。第一与第二纳米线的材料不同。相邻纳米线彼此间隔。多个第一及第二栅极结构分别于环绕局部的第一及第二纳米线。第一及第二栅极结构包含多个栅极电极。第一纳米线沿着第二方向的高度与紧邻的第二纳米线沿着第二方向的间隔距离不相等。

公开(公告)号：CN109860282A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811002450.9

申请日：2018-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 瑞姆瓦尔·彼德 ,  麦特西亚斯帕斯拉克 ,  吉尔本·朵尔伯斯

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/417 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。

公开(公告)号：CN110797387A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910048893.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吉尔本·朵尔伯斯 ,  彼德·瑞姆瓦尔 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  卡罗司·迪亚兹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管，包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的第二侧壁与第一半导体层。

公开(公告)号：CN110649089A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201811075343.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彼德·瑞姆瓦尔 ,  吉尔本·朵尔伯斯 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管包含第一磊晶层、第二磊晶层、中间层、栅极介电层以及栅极层。中间层位于第一磊晶层与第二磊晶层之间。栅极介电层围绕中间层。栅极层围绕栅极介电层以及中间层，其中中间层相对于栅极层的侧壁倾斜。