公开(公告)号：CN106571290A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610868198.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 瑞姆瓦尔·彼德

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02175

Abstract: 本发明的实施例提供一种含铝层的形成方法。上述方法包括：提供基材至原子层沉积室中；以及于原子层沉积室中，进行一或多次的包含第一步骤和第二步骤的一循环，以提供复合层，其中进行此循环的第一步骤包含：施加第一前驱物至基材上，第一前驱物包括具有第一分子量的非铝基成分；以及施加第二前驱物至基材上，第二前驱物包含具有第二分子量的含铝成分，其中第二分子量小于第一分子量，且进行此循环的第二步骤包含：施加第一前驱物至基材上。本发明的方法可制得厚度较薄且低铝原子百分比的含铝层。

公开(公告)号：CN109860282A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811002450.9

申请日：2018-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 瑞姆瓦尔·彼德 ,  麦特西亚斯帕斯拉克 ,  吉尔本·朵尔伯斯

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/417 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。