公开(公告)号：CN112018109A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010241241.0

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克斯·乔汉斯·亨利卡斯·凡戴尔 ,  彼德·瑞姆瓦尔

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。根据本发明实施例的结构包含互连结构，在互连结构上方的氧化铝层，以及在氧化铝层上方形成的晶体管。晶体管包含氧化亚铜。

公开(公告)号：CN110797387A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910048893.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吉尔本·朵尔伯斯 ,  彼德·瑞姆瓦尔 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  卡罗司·迪亚兹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管，包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的第二侧壁与第一半导体层。

公开(公告)号：CN110649089A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201811075343.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彼德·瑞姆瓦尔 ,  吉尔本·朵尔伯斯 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管包含第一磊晶层、第二磊晶层、中间层、栅极介电层以及栅极层。中间层位于第一磊晶层与第二磊晶层之间。栅极介电层围绕中间层。栅极层围绕栅极介电层以及中间层，其中中间层相对于栅极层的侧壁倾斜。

公开(公告)号：CN110504303A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810818182.1

申请日：2018-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彼德·瑞姆瓦尔 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331 ,  B82Y10/00

Abstract: 本揭示内容描述一种垂直穿隧场效晶体管装置，其包括P掺杂的氮化镓纳米线源极/漏极的垂直的P-I-N异质接面结构、本质的InN层，和N掺杂的氮化镓纳米线源极/漏极。高介电常数介电层和金属栅极环绕本质的InN层周围。