公开(公告)号：CN103165712B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210526537.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李文钦 ,  邱永升 ,  严文材 ,  余良胜

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池及其形成工艺。太阳能电池包括底部电极层、半导体光吸收层、顶部电极层、以及保护性防潮层。在一些实施例中，防潮层由不易与水反应的材料形成。防潮层帮助保护顶部电极层免受由水和氧引起的暴露和损害。本发明提供了用于形成太阳能电池的方法。

公开(公告)号：CN102956651B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210252297.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李文钦 ,  严文材 ,  余良胜 ,  邱永升

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: 制造太阳能电池的方法包括：在衬底上方形成前接触层，前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过前接触层划割第一划片区以暴露一部分衬底；在前接触层和第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在吸收层上方形成导电的后接触层。本发明提供一种覆板太阳能电池。

公开(公告)号：CN103165712A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210526537.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李文钦 ,  邱永升 ,  严文材 ,  余良胜

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池及其形成工艺。太阳能电池包括底部电极层、半导体光吸收层、顶部电极层、以及保护性防潮层。在一些实施例中，防潮层由不易与水反应的材料形成。防潮层帮助保护顶部电极层免受由水和氧引起的暴露和损害。本发明提供了用于形成太阳能电池的方法。

公开(公告)号：CN104576823B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410099007.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志力 ,  严文材 ,  徐伟伦

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/048 ,  H01L31/055

CPC classification number: H01L31/048 ,  G02B5/008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明描述了一种太阳能电池装置及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括形成包含衬底、背面接触层、吸收层和缓冲层的光伏子结构，形成与光伏子结构分离的包括透明层和与透明层接触的等离子体纳米结构层的透明覆盖层，以及将透明覆盖层粘附在光伏子结构的顶部上。等离子体纳米结构层可包括金属纳米粒子。本发明还提供了用于太阳能电池和模块的透明覆盖层。

公开(公告)号：CN103811563B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310150954.6

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  李文钦 ,  严文材 ,  吴忠宪 ,  陈冠竹

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。

公开(公告)号：CN103849841B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310052015.8

申请日：2013-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严文材 ,  吴忠宪 ,  陈世伟 ,  吴英信 ,  薛瑞福 ,  陈冠竹

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32651

Abstract: 本发明公开的一种溅射装置包括：腔室，其被配置成包含至少一个溅射靶和至少一个将被涂覆的衬底。该腔室具有限定可调孔的至少一个可调屏蔽元件。该元件设置在至少一个溅射靶和至少一个衬底之间。在面积和形状构成的组的至少一方面来调整孔。本发明还公开了一种溅射方法。

公开(公告)号：CN102956651A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210252297.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李文钦 ,  严文材 ,  余良胜 ,  邱永升

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: 制造太阳能电池的方法包括：在衬底上方形成前接触层，前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过前接触层划割第一划片区以暴露一部分衬底；在前接触层和第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在吸收层上方形成导电的后接触层。本发明提供一种覆板太阳能电池。

公开(公告)号：CN109638100A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811221714.X

申请日：2013-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志力 ,  许丽 ,  严文材 ,  吴忠宪

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0445 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了具有背面反射体的光伏器件，公开了通过在背面电极层和吸收层之间提供背面反射体而提高薄膜太阳能电池的效率的器件和方法。背面反射体将太阳光光子重新反射回吸收层以产生额外的电能。该器件是光伏器件，其包括衬底、背面电极层、背面反射体、吸收层、缓冲层和正面接触层。背面反射体形成为多条平行线。

公开(公告)号：CN103855249B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310134090.9

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严文材 ,  吴忠宪 ,  陈世伟 ,  李文钦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了可用作太阳能电池吸收层的基于黄铜矿的材料的铟溅射方法和材料。一种太阳能电池包括由CIGAS(铜、铟、镓、铝和硒)形成的吸收层。提供了一种形成吸收层的方法，包括使用铟铝靶和使用溅射沉积方法沉积铟铝膜作为金属前体层。还提供了诸如CuGa层的另一些金属前体层，并且热处理操作使得金属前体层硒化。热处理操作/硒化操作将金属前体层转化成吸收层。在一些实施例中，吸收层包括基于黄铜矿的双渐变带隙。

公开(公告)号：CN103021805B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210293399.8

申请日：2012-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李文钦 ,  严文材 ,  邱永升 ,  赵应诚

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/06 ,  C23C14/0047 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/541 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统，所述方法和系统实现了来自靶的金属前体材料和来自Se基生成系统的Se基的同时沉积。Se基生成系统包括产生Se蒸汽的蒸发器和使用等离子体生成Se基通量的等离子腔室。可以依次进行多个这种沉积操作，每一个操作具有准确控制的沉积温度。沉积材料可以包括组分浓度梯度或者可以是复合材料，并可以用作太阳能电池中的吸收层。