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公开(公告)号：CN101330106A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810132098.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管形成于一透明基板上。薄膜晶体管包括一图案化半导体层、一栅极绝缘层位于图案化半导体层上、一栅极位于栅极绝缘层上，以及一图案化光吸收层。图案化半导体层包括一通道区，以及一源极区与一漏极区分别位于通道区两侧的图案化半导体层内。图案化光吸收层位于透明基板与图案化半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101330047A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810144230.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/84 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/266 , H01L27/02 , H01L27/12 , H01L27/092 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法，其中，制造方法包括于基板上形成一P型金属氧化物半导体元件及一N型金属氧化物半导体元件。其中，P型金属氧化物半导体元件包括第一岛状多晶硅、一覆盖于第一岛状多晶硅上的栅绝缘层以及一位于栅绝缘层上的第一栅极。此外，P型金属氧化物半导体元件的制造方法包括：对第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以形成多个P型重掺杂区及多个P型轻掺杂区，其中沟道区的距离实质上小于3微米，且P型轻掺杂区至少其中一者的距离实质上为沟道区的距离的10％至80％。P型轻掺杂区改善P型金属氧化物半导体元件的短沟道效应。
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公开(公告)号：CN104659107B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510101338.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区，且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方，且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外，包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。
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公开(公告)号：CN103227150B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310178656.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括连接电极。连接电极系与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，且薄膜晶体管的漏极系经由连接电极与画素电极电性连接。因此，连接电极不需利用额外制程加以制作，且连接电极可避免画素电极于蚀刻介电层时受到损伤。显示面板的薄膜晶体管的源极掺杂区与漏极掺杂区、储存电容下电极以及画素电极可利用同一道灰阶光罩加以形成。
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公开(公告)号：CN103296058A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310175302.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/56 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外，薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接，而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极，因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100585831C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810144230.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/84 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/266 , H01L27/02 , H01L27/12 , H01L27/092 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法，其中，制造方法包括于基板上形成一P型金属氧化物半导体元件及一N型金属氧化物半导体元件。其中，P型金属氧化物半导体元件包括第一岛状多晶硅、一覆盖于第一岛状多晶硅上的栅绝缘层以及一位于栅绝缘层上的第一栅极。此外，P型金属氧化物半导体元件的制造方法包括：对第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以形成多个P型重掺杂区及多个P型轻掺杂区，其中沟道区的距离实质上小于3微米，且P型轻掺杂区至少其中一者的距离实质上为沟道区的距离的10%至80%。P型轻掺杂区改善P型金属氧化物半导体元件的短沟道效应。
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公开(公告)号：CN105206677B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510580206.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化栅极介电层、栅极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及漏极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化栅极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。栅极设置于图案化栅极介电层上。氢扩散控制层设置于栅极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层包覆栅极与图案化栅极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极漏极设置于氢来源层上，且氢来源层的含氢量大于氢扩散控制层的含氢量。
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公开(公告)号：CN101976685A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010274529.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。
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公开(公告)号：CN103296058B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310175302.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/56 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外，薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接，而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极，因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。
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公开(公告)号：CN104659107A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510101338.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/324 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区，且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方，且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外，包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。
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