公开(公告)号：CN106129097A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610755478.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林世亮 ,  郭庭玮 ,  陈佳楷

IPC: H01L27/32

Abstract: 一种像素结构，具有第一薄膜晶体管与第一储存电容，设置于可挠性基板上。第一薄膜晶体管具有栅极，第一储存电容具有电容电极。电容电极下方具有相对应的第一导电电极，且电容电极与第一导电电极的垂直投影于基板上的投影至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN108336245B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201810201173.8

申请日：2018-03-12

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  林世亮

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 一种可挠性电子装置，包括一保护层、一可挠性基板、一显示元件层。可挠性基板设置于保护层上。显示元件层设置于可挠性基板上。可挠性基板具有弯折区以及弯折区相对两侧的两个平坦区，保护层位于可挠性基板的弯折区中，且保护层未设置于可挠性基板的平坦区中。

公开(公告)号：CN107658318B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201710893892.6

申请日：2017-09-28

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  林世亮 ,  吴彦佑 ,  王培筠

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 一种像素结构，包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上，并包含保护部及辅助部，其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上，且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上，并具有第一连接部及第二连接部，其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内，且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。

公开(公告)号：CN108336245A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810201173.8

申请日：2018-03-12

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  林世亮

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 一种可挠性电子装置，包括一保护层、一可挠性基板、一显示元件层。可挠性基板设置于保护层上。显示元件层设置于可挠性基板上。可挠性基板具有弯折区以及弯折区相对两侧的两个平坦区，保护层位于可挠性基板的弯折区中，且保护层未设置于可挠性基板的平坦区中。

公开(公告)号：CN108336096A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810129064.X

申请日：2018-02-08

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  吴彦佑 ,  林世亮

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前，对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。此外，通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。

公开(公告)号：CN105448999A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510872131.3

申请日：2015-12-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 萧翔允 ,  陈佳楷 ,  林世亮 ,  许庭毓 ,  王培筠 ,  黄雅琴 ,  江丞伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: G02F1/3618 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78672 ,  H01L21/324 ,  H01L29/6675

Abstract: 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。

公开(公告)号：CN109285869B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201811130530.2

申请日：2018-09-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  江丞伟 ,  陈泊如 ,  詹志诚 ,  林世亮

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明提供柔性显示器的制造方法以及柔性显示器。本发明提供柔性显示器的制造方法包括以下步骤。于载板上形成第一柔性材料层。以第一固化温度固化第一柔性材料层，以形成第一柔性层。于第一柔性层上形成缓冲层。于缓冲层上形成第二柔性材料层。以第二固化温度固化第二柔性材料层，以形成第二柔性层。第二固化温度小于第一固化温度。于第二柔性层上形成元件阵列。

公开(公告)号：CN106129097B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201610755478.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林世亮 ,  郭庭玮 ,  陈佳楷

IPC: H01L27/32

Abstract: 一种像素结构，具有第一薄膜晶体管与第一储存电容，设置于可挠性基板上。第一薄膜晶体管具有栅极，第一储存电容具有电容电极。电容电极下方具有相对应的第一导电电极，且电容电极与第一导电电极的垂直投影于基板上的投影至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN105448999B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510872131.3

申请日：2015-12-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 萧翔允 ,  陈佳楷 ,  林世亮 ,  许庭毓 ,  王培筠 ,  黄雅琴 ,  江丞伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

Abstract: 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。

公开(公告)号：CN109285869A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811130530.2

申请日：2018-09-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈发祥 ,  江丞伟 ,  陈泊如 ,  詹志诚 ,  林世亮

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明提供柔性显示器的制造方法以及柔性显示器。本发明提供柔性显示器的制造方法包括以下步骤。于载板上形成第一柔性材料层。以第一固化温度固化第一柔性材料层，以形成第一柔性层。于第一柔性层上形成缓冲层。于缓冲层上形成第二柔性材料层。以第二固化温度固化第二柔性材料层，以形成第二柔性层。第二固化温度小于第一固化温度。于第二柔性层上形成元件阵列。