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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107658318B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710893892.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种像素结构，包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上，并包含保护部及辅助部，其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上，且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上，并具有第一连接部及第二连接部，其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内，且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN107658318A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710893892.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种像素结构，包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上，并包含保护部及辅助部，其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上，且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上，并具有第一连接部及第二连接部，其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内，且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN108336096B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810129064.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前，对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。此外，通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。
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公开(公告)号：CN103000531A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210545696.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：形成多晶硅主动层，以便在基板上定义出多晶硅主动区；形成图案化的透明导电氧化物金属层，用以定义出漏极掺杂区与源极掺杂区；形成栅极金属层；采用离子植入制程，形成该漏极掺杂区、该源极掺杂区以及轻掺杂漏极端；分别形成漏极金属层和源极金属层于栅极金属层的两侧；以及形成绝缘保护层于漏极金属层和源极金属层的上方。相比于现有技术，本发明利用透明导电氧化物金属层及栅极绝缘层的总厚度与单个栅极绝缘层之间的厚度差异，搭配P+植入能量，从而使用同一道掺杂制程即可达到轻掺杂漏极端、漏极掺杂区和源极掺杂区所需的掺杂剂量，进而减少光罩的使用数量。
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公开(公告)号：CN108336096A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810129064.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前，对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。此外，通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。
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