公开(公告)号：CN102610760B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210066810.8

申请日：2012-03-13

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  胡晟民

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光装置。发光装置包括基板、第一电极、第二电极和发光层，第一电极配置于基板上，包括含一第一金属与铟的合金、含一第一金属与锌的合金或含一第一金属与铟锌的合金，其中铟、锌或铟锌在合金中的含量为0.1％(重量)至2％(重量)，第二电极配置于第一电极上，发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。

公开(公告)号：CN102496621B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110424194.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。

公开(公告)号：CN103715271B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410008913.8

申请日：2011-12-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32

Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一通道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一通道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一通道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二通道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。

公开(公告)号：CN103531607B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310363240.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开一种有机发光显示面板与其的制造方法。该有机发光显示面板包含基板、主动元件、保护层、反射层、平坦层、第一电极、像素定义层、发光层与第二电极。主动元件设置于基板上。保护层覆盖主动元件。反射层覆盖至少部分的保护层。平坦层覆盖反射层与保护层。第一电极设置于平坦层上，第一电极通过位于保护层以及平坦层中的第一开口接触与电连接主动元件。第一电极于垂直投影方向上未与反射层重叠。像素定义层覆盖第一电极与平坦层，且具有第二开口以暴露出第一电极。发光层设置于第一电极上，且位于第二开口内。第二电极覆盖发光层以及像素定义层。

公开(公告)号：CN103715271A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201410008913.8

申请日：2011-12-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L27/1251

Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。

公开(公告)号：CN103035667A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210587789.6

申请日：2012-12-31

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种镜面AMOLED显示设备及其制造方法。该显示设备包括：薄膜晶体管阵列基板；第一保护层，位于阵列基板的上方，包括一薄膜晶体管，以定义发光区域和非发光区域；第二保护层，位于第一保护层的上方；有机发光二极管，包括：阳极，其在竖直方向上对应于薄膜晶体管；有机发光元件，位于阳极的上方；以及阴极，设置于第二保护层的上方以及有机发光元件的上方；金属反射薄膜，沉积于阴极的上方，其在竖直方向上对应于非发光区域；以及玻璃盖板，与阵列基板相对设置。采用本发明，将金属反射薄膜沉积于OLED阴极的上方且在竖直方向上对应于非发光区域，从而避免因金属反射薄膜与OLED电极间的单元间隙所造成的影像模糊。

公开(公告)号：CN102496621A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110424194.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。

公开(公告)号：CN103871903A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410125986.5

申请日：2014-03-31

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L21/467 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种晶体管及其制造方法。晶体管的制造方法包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极，并在基板以及栅极上形成栅绝缘层以覆盖基板以及栅极。接着，在栅绝缘层上形成图案化沟道层以及掩模层，其中图案化沟道层与掩模层位于栅极上方，且掩模层位于图案化沟道层上。之后，通过湿式蚀刻剂在栅绝缘层上形成一源极与一漏极，并且通过湿式蚀刻剂移除未被源极与漏极覆盖的掩模层的部分直到图案化沟道层被暴露为止，以形成多个图案化掩模层。

公开(公告)号：CN102610760A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210066810.8

申请日：2012-03-13

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  胡晟民

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光装置及其制作方法。制作时，于基板上形成第一电极，第一电极包括图案化导体层，图案化导体层包括含第一金属与第二金属的合金。对第一电极进行退火加工，以至少于第一电极的侧表面上形成保护层，其中保护层包括第二金属的化合物。于第一电极上形成发光层。于发光层上形成第二电极。发光装置包括基板、第一电极、第二电极和发光层，第一电极配置于基板上，包括含一第一金属与铟的合金、含一第一金属与锌的合金或含一第一金属与铟锌的合金，其中铟、锌或铟锌在合金中的含量为0.1％(重量)至2％(重量)，第二电极配置于第一电极上，发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。

公开(公告)号：CN102339835A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110286451.2

申请日：2011-09-07

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杨朝舜 ,  谢信弘

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。