像素电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105405401B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201511023491.2

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种像素电路,包含第一晶体管、电容元件、发光元件、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管包含栅极与半导体层,半导体层包含通道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区。通道区的第一部分连接源极区,通道区的第二部分连接第一漏极区,通道区的第三部分连接第二漏极区,第二部分的通道宽度大于第三部分的通道宽度。电容元件之一端与第一晶体管之栅极电性连接。第二晶体管包含直接连接第二漏极区的源极区以及电性连接发光元件的漏极区。第三晶体管包含直接连接第一漏极区的源极区以及电性连接电容元件之一端的漏极区。

    发光装置及其制作方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102610760A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210066810.8

    申请日:2012-03-13

    Inventor: 杨朝舜 胡晟民

    Abstract: 本发明涉及一种发光装置及其制作方法。制作时,于基板上形成第一电极,第一电极包括图案化导体层,图案化导体层包括含第一金属与第二金属的合金。对第一电极进行退火加工,以至少于第一电极的侧表面上形成保护层,其中保护层包括第二金属的化合物。于第一电极上形成发光层。于发光层上形成第二电极。发光装置包括基板、第一电极、第二电极和发光层,第一电极配置于基板上,包括含一第一金属与铟的合金、含一第一金属与锌的合金或含一第一金属与铟锌的合金,其中铟、锌或铟锌在合金中的含量为0.1%(重量)至2%(重量),第二电极配置于第一电极上,发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。

    像素电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105405401A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201511023491.2

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种像素电路,包含第一晶体管、电容元件、发光元件、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管包含栅极与半导体层,半导体层包含通道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区。通道区的第一部分连接源极区,通道区的第二部分连接第一漏极区,通道区的第三部分连接第二漏极区,第二部分的通道宽度大于第三部分的通道宽度。电容元件之一端与第一晶体管之栅极电性连接。第二晶体管包含直接连接第二漏极区的源极区以及电性连接发光元件的漏极区。第三晶体管包含直接连接第一漏极区的源极区以及电性连接电容元件之一端的漏极区。

    发光装置及其制作方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104347818B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201410450431.8

    申请日:2012-03-13

    Inventor: 杨朝舜 胡晟民

    Abstract: 本发明涉及一种发光装置及其制作方法。制作时,于基板上形成第一电极,第一电极包括图案化导体层,图案化导体层包括含第一金属与第二金属的合金。对第一电极进行退火加工,以至少于第一电极的侧表面上形成保护层,其中保护层包括第二金属的化合物。于第一电极上形成发光层。于发光层上形成第二电极。发光装置包括基板、第一电极、保护层、第二电极以及发光层。第一电极配置于基板上,包括第一图案化导体层。保护层至少配置于第一电极的侧表面上,包括第二金属的化合物,其中第二金属的化合物的功函数为4.8eV至5.5eV。第二电极配置于第一电极上。发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。

    发光装置及其制作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104347818A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410450431.8

    申请日:2012-03-13

    Inventor: 杨朝舜 胡晟民

    Abstract: 本发明涉及一种发光装置及其制作方法。制作时,于基板上形成第一电极,第一电极包括图案化导体层,图案化导体层包括含第一金属与第二金属的合金。对第一电极进行退火加工,以至少于第一电极的侧表面上形成保护层,其中保护层包括第二金属的化合物。于第一电极上形成发光层。于发光层上形成第二电极。发光装置包括基板、第一电极、保护层、第二电极以及发光层。第一电极配置于基板上,包括第一图案化导体层。保护层至少配置于第一电极的侧表面上,包括第二金属的化合物,其中第二金属的化合物的功函数为4.8eV至5.5eV。第二电极配置于第一电极上。发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。

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