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公开(公告)号：CN117393582A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311421209.0
申请日：2023-10-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/34 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种具有TiO2插入层的β‑Ga2O3肖特基二极管及其制备方法。所述肖特基二极管包括设置于外延层与阳极金属电极之间经过热氧化Ti金属形成的TiO2层，该TiO2层的电子亲和势小于Ga2O3的电子亲和势，且介电常数为50‑100。本申请在外延层上生长Ti薄层后，热氧化该薄层以形成TiO2层，使得在金属和半导体之间引入一个TiO2层导致势垒高度降低。本申请在外延层上生长Ti薄层后，热氧化该薄层以形成TiO2层，使得在金属和半导体之间引入一个TiO2层，TiO2层具有合适的电子亲和势、较大的介电常数，可以显著提高肖特基二极管的击穿电压，使器件能够承受更高的反向电压，从而提高了器件的耐压特性。同时，TiO2层还维持了低导通电阻，使器件在导通状态下能够有效地传输电流。
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公开(公告)号：CN116799092A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310818728.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓基的日盲紫外探测器及其制备方法。其中，所述探测器包括：所述探测器从下至上依次包括：衬底、p型半导体薄膜；第一金属电极与Ga2O3薄膜形成的叉指结构；设置于Ga2O3薄膜表面的第二金属电极，所述第二金属电极的形状与所述Ga2O3叉指薄膜相契合。本发明采用叉指的方式进行Ga2O3与其他p型半导体异质结探测器的制备，增大了电极周长和0V偏压下载流子收集能力，并且提高反偏压时Ga2O3区域的平均电场强度，增快载流子的迁移速率，达到更高的响应度和更快的响应时间(
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公开(公告)号：CN112133801A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011022463.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN105047783B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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公开(公告)号：CN105668506A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610044785.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00539
Abstract: 一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，涉及半导体MEMS器件。包括以下步骤：将(001)面硅片清洗后，用BOE去除表面的氧化层，在(001)面硅片表面生长一层SiO2薄膜作为掩膜；光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形，再后烘；把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜；去除光刻胶；把样品放入KOH溶液中进行腐蚀；将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中，反应后用水冲洗，即在001面硅片上腐蚀出111硅面。可克服低浓度KOH导致的腐蚀表面粗糙，还可克服高浓度KOH腐蚀率的慢的不利因素，且可以忽略侧向腐蚀，有效缩短工艺周期，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047783A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/007 , H01L33/40
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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公开(公告)号：CN115986033A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211714656.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。本发明具有结构简单、集成度高，光谱线宽窄，光谱模式可调等特点，在精密测量，显微组织成像，视觉成像，三维显示，光通信，量子通信等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113363805A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110604143.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法，激光器结构方法包括激光器A、激光器B和激光器C三种结构形式，本方案使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，不仅具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用。另外地，使用p型层+隧道结+n型层代替传统激光器中的p型层，结合隧道结的使用，可以有效提高器件的性能。这些方案的应用，使得本发明所提出的激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110120448B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910375275.6
申请日：2019-05-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。
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公开(公告)号：CN110120448A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910375275.6
申请日：2019-05-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。
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