-
公开(公告)号：CN105047783B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
-
公开(公告)号：CN105047783A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/007 , H01L33/40
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
-
公开(公告)号：CN104465907B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p‑GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P‑GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p‑GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p‑GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
-
公开(公告)号：CN104465907A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L2933/0033
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
