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公开(公告)号：CN116799092A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310818728.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓基的日盲紫外探测器及其制备方法。其中，所述探测器包括：所述探测器从下至上依次包括：衬底、p型半导体薄膜；第一金属电极与Ga2O3薄膜形成的叉指结构；设置于Ga2O3薄膜表面的第二金属电极，所述第二金属电极的形状与所述Ga2O3叉指薄膜相契合。本发明采用叉指的方式进行Ga2O3与其他p型半导体异质结探测器的制备，增大了电极周长和0V偏压下载流子收集能力，并且提高反偏压时Ga2O3区域的平均电场强度，增快载流子的迁移速率，达到更高的响应度和更快的响应时间(
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