公开(公告)号：CN110120448A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910375275.6

申请日：2019-05-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 龙浩 ,  冯笑杰 ,  田梦飞 ,  张保平 ,  应磊莹

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。

公开(公告)号：CN110120448B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201910375275.6

申请日：2019-05-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 龙浩 ,  冯笑杰 ,  田梦飞 ,  张保平 ,  应磊莹

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。