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公开(公告)号：CN103788943B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410081670.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/61 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN104638037A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510080450.0
申请日：2015-02-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅，所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×1019cm-3～6×1020cm-3，所述红外吸收层与衬底之间形成p-n结。本发明的镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料具有较强的红外吸收能力，在室温状态下具有较高的光电探测率，可广泛应用于光纤通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外探测器的制作。本发明还提供了上述材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103681900A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310726455.7
申请日：2013-12-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L21/2252 , H01L21/268 , H01L31/1804
Abstract: 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。
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公开(公告)号：CN104059640B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
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公开(公告)号：CN103334155B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104059640A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410319936.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发稀土硼酸盐荧光粉基质及荧光粉制备方法，该硼酸盐荧光粉的通式为NaBaBO3：xRe，yM(亦即BaNaBO3：xRe，yM)。其中，NaBaBO3(亦即BaNaBO3)硼酸盐为发光基质，Re为掺杂的稀土发光中心，M为辅助掺杂元素。本发明荧光粉制备工艺简单，通过在该基质中掺杂不同稀土元素，可以得到在近紫外激发下，在各个光谱区域有强烈发射的荧光材料。本发明制备方法简单，易于操作，无污染，成本低。其可以应用于紫光激三基色白光LED荧光粉、下转换太阳能电池荧光粉以及各种显示装置中，还可作为近紫光激发的下转换荧光材料用于促进农作物生长的农膜。
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公开(公告)号：CN103334155A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310289506.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , H01L31/0288
Abstract: 一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×1019-1×1022cm-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×104～1×105cm-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。
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公开(公告)号：CN103681900B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310726455.7
申请日：2013-12-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。
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公开(公告)号：CN103094394B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310019710.4
申请日：2013-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。
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公开(公告)号：CN103788943A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410081670.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/61 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。
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