公开(公告)号：CN115000228B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN115000228A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN113921627A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111102849.6

申请日：2021-09-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文山 ,  徐翔宇 ,  况思良 ,  张佳业

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种(InxGa1‑x)2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，其光灵敏性达到108，探测率达到2×1016‑5×1016Jones，包括一c‑Al2O3衬底，该c‑Al2O3衬底上通过PLD生长形成一厚度为0.1‑0.5μm的(InxGa1‑x)2O3薄膜，该(InxGa1‑x)2O3薄膜上设有叉指电极，其中0.05≤x≤0.1。本发明将Ga2O3和In2O3合金化，In的引入有效降低了器件的暗电流，提高了器件的光响应，使器件的光电性能得到大幅度提升，实现超高灵敏度和超高探测率，使得本发明所制备的器件对日盲光具有极高灵敏性，能够识别极其微弱的日盲紫外信号，不受可见光影响，具备全天候型的日盲紫外光探测能力。