公开(公告)号：CN115627527B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202211135585.9

申请日：2022-09-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  王燕 ,  黄啸淳

IPC: C30B23/02 ,  C30B28/02 ,  C30B29/22 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法，涉及磁性半导体薄膜材料技术领域，方法包括如下步骤：将NiO、ZnO和Fe2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得圆片形锌掺杂镍铁氧体多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述锌掺杂镍铁氧体多晶靶为靶材，利用脉冲激光沉积法在MgAl2O4衬底上获得所述薄膜。本发明所制得的薄膜成分、厚度可控，具有绝缘亚铁磁性，其室温饱和磁化强度高达441.62emu/cm3，有助于指导制备具有室温亚铁磁性的铁氧体薄膜材料，有助于进一步推动自旋电子器件材料的发展。

公开(公告)号：CN115627527A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211135585.9

申请日：2022-09-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  王燕 ,  黄啸淳

IPC: C30B23/02 ,  C30B28/02 ,  C30B29/22 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法，涉及磁性半导体薄膜材料技术领域，方法包括如下步骤：将NiO、ZnO和Fe2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得圆片形锌掺杂镍铁氧体多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述锌掺杂镍铁氧体多晶靶为靶材，利用脉冲激光沉积法在MgAl2O4衬底上获得所述薄膜。本发明所制得的薄膜成分、厚度可控，具有绝缘亚铁磁性，其室温饱和磁化强度高达441.62emu/cm3，有助于指导制备具有室温亚铁磁性的铁氧体薄膜材料，有助于进一步推动自旋电子器件材料的发展。