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公开(公告)号：CN112098481A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010864102.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。
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公开(公告)号：CN108519411A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810298037.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法，涉及III族氮化物半导体材料。设计三电极电化学处理装置；将p型掺杂的半导体晶片密封至容器底部，作为工作电极；设置辅助电极和参比电极，与工作电极构成电化学三电极系统；选择除氢电解液，加入容器中，并淹没三电极；于工作电极和辅助电极之间施加直流偏压，进行除H并激活p型杂质；激活处理完毕，取出p型半导体晶片，进行去离子水超声清洗；利用电学装置测试晶片的电学性质。操作简便、无需高温退火，可制备出具有良好导电特性的p型GaN和AlGaN材料，并且可对完整结构器件晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外的LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用。
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公开(公告)号：CN112098481B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010864102.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。
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