公开(公告)号：CN113716555B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202110935921.7

申请日：2021-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  仲崇贵 ,  耿晨铎 ,  董正超

IPC: C01B32/198 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其设计方案包括：基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，通过对设计的结构施加双轴应变调控能带结构得到需要的能隙，从而实现石墨烯在半导体领域的应用，本发明具有结构简单、操作方便，易于加工、能隙可控的特点，不仅可应用于光伏、能源、还适用于微电子器件，具有非常广的应用前景。

公开(公告)号：CN113990874B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202111181423.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  耿成铎 ,  仲崇贵 ,  董正超

IPC: H01L27/11507 ,  C01B33/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计，通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯（Si2H）进行应变调控，在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒，试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化态向铁电态的转变，最终使其具备铁电性能；该结构不仅具有很好的稳定性，还大大缩小了信息存储单元，具有极化垂直于薄膜平面、容易读取和通过外场操控的特点。

公开(公告)号：CN113745400A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110935605.X

申请日：2021-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 耿晨铎 ,  仲崇贵 ,  张诗俊 ,  董正超

IPC: H01L41/257 ,  C01B32/194 ,  C01B32/198 ,  C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B33/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Fe插层氧化石墨烯二维可调铁电极化材料结构设计，其设计方案包括：基材选取‑插层极化结构设计‑极化翻转所需的能量‑应变的使用‑极化处理，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，而且翻转极化所需要外加电场小；不同于其他二维材料中的铁电极化躺在平面内，该结构的铁电极化垂直于单层薄膜表面，外加电场容易读写数据；本发明的结构设计简单、操作方便，易于加工，可大大提高集成度等优点，且随着应变一定范围内的增大，实现铁电信息存储的所需的外电场可以更小，具有非常可观的应用前景。

公开(公告)号：CN113745400B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202110935605.X

申请日：2021-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 耿晨铎 ,  仲崇贵 ,  张诗俊 ,  董正超

IPC: H10N30/045 ,  C01B32/194 ,  C01B32/198 ,  C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B33/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Fe插层氧化石墨烯二维可调铁电极化材料结构设计，其设计方案包括：基材选取‑插层极化结构设计‑极化翻转所需的能量‑应变的使用‑极化处理，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，而且翻转极化所需要外加电场小；不同于其他二维材料中的铁电极化躺在平面内，该结构的铁电极化垂直于单层薄膜表面，外加电场容易读写数据；本发明的结构设计简单、操作方便，易于加工，可大大提高集成度等优点，且随着应变一定范围内的增大，实现铁电信息存储的所需的外电场可以更小，具有非常可观的应用前景。

公开(公告)号：CN113990874A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111181423.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  耿成铎 ,  仲崇贵 ,  董正超

IPC: H01L27/11507 ,  C01B33/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计，通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯（Si2H）进行应变调控，在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒，试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化态向铁电态的转变，最终使其具备铁电性能；该结构不仅具有很好的稳定性，还大大缩小了信息存储单元，具有极化垂直于薄膜平面、容易读取和通过外场操控的特点。

公开(公告)号：CN113716555A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110935921.7

申请日：2021-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  仲崇贵 ,  耿晨铎 ,  董正超

IPC: C01B32/198 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其设计方案包括：基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，通过对设计的结构施加双轴应变调控能带结构得到需要的能隙，从而实现石墨烯在半导体领域的应用，本发明具有结构简单、操作方便，易于加工、能隙可控的特点，不仅可应用于光伏、能源、还适用于微电子器件，具有非常广的应用前景。