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公开(公告)号：CN114613802A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210099617.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/20 , H01L31/112
Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。
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公开(公告)号：CN105739135B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610179774.4
申请日：2016-03-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。
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公开(公告)号：CN116111012B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211412638.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。
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公开(公告)号：CN114613802B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210099617.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N39/00 , H01L31/112
Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。
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公开(公告)号：CN114583031A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210099338.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113030802A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110200722.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。
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公开(公告)号：CN111048637A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911251245.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
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公开(公告)号：CN114583031B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210099338.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。
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公开(公告)号：CN109860385B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201910171051.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
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