公开(公告)号：CN114613802B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202210099617.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛凡 ,  张玉 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H10N39/00 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。

公开(公告)号：CN114583031A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210099338.1

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张玉 ,  葛凡 ,  谢思扬 ,  陶志阔

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  G02B5/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。

公开(公告)号：CN114583031B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202210099338.1

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张玉 ,  葛凡 ,  谢思扬 ,  陶志阔

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  G02B5/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。

公开(公告)号：CN114613802A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210099617.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛凡 ,  张玉 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H01L27/20 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。