公开(公告)号：CN109860385B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201910171051.3

申请日：2019-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方贺男 ,  李影 ,  彭祥 ,  陶志阔

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。

公开(公告)号：CN109860385A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910171051.3

申请日：2019-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方贺男 ,  李影 ,  彭祥 ,  陶志阔

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。

公开(公告)号：CN109860352A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910171314.0

申请日：2019-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方贺男 ,  彭祥 ,  李影 ,  陶志阔

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00

Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层、Fe3N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。本发明通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。