公开(公告)号：CN114613802A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210099617.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛凡 ,  张玉 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H01L27/20 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。

公开(公告)号：CN116111012A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211412638.7

申请日：2022-11-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 谢思扬 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H01L33/02 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。

公开(公告)号：CN116111012B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211412638.7

申请日：2022-11-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 谢思扬 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H01L33/02 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。

公开(公告)号：CN114613802B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202210099617.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛凡 ,  张玉 ,  宋敏航 ,  陶志阔

IPC: H10N39/00 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种基于SAW的紫外光电探测器，第一Al0.25Ga0.75N层顶端设有第一叉指换能器；第二Al0.25Ga0.75N层顶端设有第二叉指换能器；第三Al0.25Ga0.75N层上方设有二维电子气层，二维电子气层上方设有Al0.5Ga0.5N层，Al0.5Ga0.5N层上方设有p型掺杂GaN层；Al0.5Ga0.5N层一端连接漏极，漏极外接漏电压，Al0.5Ga0.5N层另一端连接源极，源极接地。本发明对光功率密度为0.2 mW/cm2的紫外光的光探测灵敏度高达7.37（ppmmw/cm2）‑1，增益高达9450 dB/mm，解决目前紫外光电探测器低光灵敏度、低增益的问题。